特許

J-GLOBAL ID：200903034580394628

半導体装置とその製造方法

発明者： 菊池 秀明 ,  永井 孝一 ,  菊池 友幸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-044534
公開番号（公開出願番号）：特開2008-210893
出願日： 2007年02月23日
公開日（公表日）： 2008年09月11日
要約：

【課題】新規な特徴を有する半導体装置とその製造方法を提供すること。【解決手段】シリコン基板10の上方に第1絶縁膜25を形成する工程と、第1絶縁膜25の所定の深さに不純物をイオン注入することにより、第1絶縁膜25に不純物層22を形成する工程と、不純物層22を形成した後、第1絶縁膜をアニールすることにより、不純物層22をバリア絶縁膜23に改質する工程とを有する半導体装置の製造方法による。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板の上方に絶縁膜を形成する工程と、 前記絶縁膜の所定の深さに不純物をイオン注入することにより、前記絶縁膜に不純物層を形成する工程と、 前記不純物層を形成した後、前記絶縁膜をアニールすることにより、前記不純物層をバリア絶縁膜に改質する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  H01L 21/316

FI (6件)：

H01L21/90 P ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 481 ,  H01L21/316 P ,  H01L21/316 X

Fターム (116件)：

5F033HH04 ,  5F033HH05 ,  5F033HH07 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH25 ,  5F033HH28 ,  5F033HH33 ,  5F033HH35 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK07 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK33 ,  5F033KK35 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP17 ,  5F033PP27 ,  5F033PP35 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ60 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ64 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ89 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS01 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT08 ,  5F033VV07 ,  5F033VV10 ,  5F033VV16 ,  5F033XX01 ,  5F033XX09 ,  5F033XX20 ,  5F033XX28 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BH01 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ02 ,  5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083GA28 ,  5F083JA02 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA17 ,  5F083MA18 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34 ,  5F083PR36 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA12

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許第3019816号明細書
  
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-251316   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化珪素膜、並びに半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-139390   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 米国特許第5786276号明細書
  

審査官引用 (7件)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-237367   出願人：株式会社リコー
• デュアル・ダマスク構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-131822   出願人：聯華電子股ふん有限公司
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-251316   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-278665   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-076258   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-005000   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-093102   出願人：日本電気株式会社