特許
J-GLOBAL ID：200903096642803959

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
嶋田 聡

嶋田 聡 について

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渡辺 裕之

渡辺 裕之 について

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西田 篤弘

西田 篤弘 について

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井上 恭典

井上 恭典 について

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水原 秀樹

水原 秀樹 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-251316
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323572
出願日： 1999年09月06日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 配線の腐食を防止し且つ比誘電率の増加も極力防止された層間絶縁膜を得ることで、信頼性の高い半導体装置を提供すること。【解決手段】 有機SOG膜3内に実質的にその上面まで埋め込まれた金属配線7と、その有機SOG膜3における金属配線7との接触部のみに形成された改質SOG膜5とを備える。
請求項（抜粋）：
第1絶縁膜内に実質的にその上面まで埋め込まれた第1配線と、前記第1絶縁膜における前記第1配線との接触部のみに形成された第1不純物含有領域とを備えた、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/265
FI (3件)：
H01L 21/90 J ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 21/90 P
Fターム (86件)：
5F033GG04 ,  5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH25 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ04 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ23 ,  5F033JJ25 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ60 ,  5F033QQ61 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ63 ,  5F033QQ64 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ66 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR12 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR24 ,  5F033RR25 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS04 ,  5F033SS07 ,  5F033SS11 ,  5F033SS12 ,  5F033SS13 ,  5F033SS14 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033TT06 ,  5F033TT07 ,  5F033WW04 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27
引用特許：
審査官引用 (10件)
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