特許
J-GLOBAL ID：200903036914670284
窒化物半導体ウエハの研削装置及び研削方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-236906
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068556
出願日： 1998年08月24日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】窒化物半導体ウエハを研削する研削装置などに係わり、特に半導体ウエハ外周に発生するチッピングなどを防止し歩留まりが高く生産性に優れた研削装置及び研削方法を提供することにある。【解決手段】窒化物半導体ウエハを研削機の研削盤上に配置すると共に窒化物半導体ウエハを砥石で研削する研削装置において、研削盤上に配置された窒化物半導体ウエハの外周近傍に、窒化物半導体ウエハとは別に、窒化物半導体ウエハと共に研削され窒化物半導体ウエハの略平面と砥石とを均一に加圧研削させるダミーワークが設けられる窒化物半導体ウエハの研削装置である。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体ウエハを研削機の研削盤上に配置すると共に該窒化物半導体ウエハを砥石で研削する研削装置において、前記研削盤上に配置された窒化物半導体ウエハの外周近傍に、窒化物半導体ウエハとは別に、前記窒化物半導体ウエハと共に研削され窒化物半導体ウエハの略平面と砥石とを均一に加圧研削させるダミーワークが設けられることを特徴とする窒化物半導体ウエハの研削装置。
Fターム (3件)：
5F041AA41
, 5F041CA40
, 5F041CA67
