化学機械研磨装置及び化学機械研磨方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-208658
公開番号（公開出願番号）：特開平9-277160
出願日： 1996年08月07日
公開日（公表日）： 1997年10月28日
要約：

【要約】【課題】殆ど無条痕の鏡面を高能率のもとに研磨することができ、(±0.1μm)以下のレベルの平坦度を達成可能な化学機械研磨装置を堤供する。【解決手段】被研磨板40を吸着し自転する研磨板ホルダー43と、被研磨板40のロ径より小さな口径を有し、軸対称に配置された複数の研磨パッド42と、複数の研磨パッド42のそれぞれを自転させるための手段と、複数の研磨パツド42を前記軸を中心として公転させるための手段と、研磨パッド42を被研磨板40に対して相対的に横送りおよぴ縦送りするための手段とを有し、研磨パッド42前面を被研磨板面に摺擦させるようにするとともに研磨スラリ-を研磨パッド42の前面中心へ供給するようにした。研磨スラリーを加圧供給しより均一性、平坦性を高める。研磨スラリーを脱気し平坦性のばらつきを低減する。被研磨板の周縁を囲むダミー板研磨面と面一に設ける。

請求項（抜粋）：

被研磨板を吸着し自転する研磨板ホルダーと、被研磨板の口径より小さな口径を有し、軸対称に配置された複数の研磨パッドと、該複数の研磨パッドのそれぞれを自転させるための手段と、該複数の研磨パッドを前記軸を中心として公転させるための手段と、該研磨パッドを被研磨板に対して相対的に横送りおよび縦送りするための手段とを有し、該研磨パッド前面を被研磨板面に摺擦させるようにするとともに研磨スラリーを該研磨パッドの前面中心へ供給するようにしたことを特徴とする化学機械研磨装置。

IPC (3件)：

B24B 37/00 , H01L 21/304 321 , H01L 21/304

FI (3件)：

B24B 37/00 F , H01L 21/304 321 E , H01L 21/304 321 M

引用特許：

出願人引用 (12件)

研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-002954 出願人：高田穣一
半導体ウェーハの表面基準研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-049568 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
光ディスク用原盤研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-154076 出願人：ソニー株式会社

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審査官引用 (4件)

研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-002954 出願人：高田穣一
半導体ウェーハの表面基準研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-049568 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
光ディスク用原盤研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-154076 出願人：ソニー株式会社

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