特許
J-GLOBAL ID：200903037229763489
半導体ウエーハの形状評価方法及び形状評価装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-173268
公開番号（公開出願番号）：特開2004-020286
出願日： 2002年06月13日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：
【課題】ウエーハの形状品質を従来のSFQR等とは異なる観点から、半導体ウエーハの形状、特にウエーハ外周部の形状を定量的に評価でき、かつ厳しいデザインルールの仕様に対しても的確に評価することができる半導体ウエーハの形状評価方法及び形状評価装置を提供する。【解決手段】半導体ウエーハの形状を評価する半導体ウエーハの形状評価方法であって、半導体ウエーハの表面及び/または裏面を走査して半導体ウエーハの形状データを測定し、測定した形状データを微分処理して微分プロファイルを算出し、得られた微分プロファイルの解析を行ってウエーハの表面特性を求めることにより半導体ウエーハの形状を評価することを特徴とする半導体ウエーハの形状評価方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体ウエーハの形状を評価する半導体ウエーハの形状評価方法であって、半導体ウエーハの表面及び/または裏面を走査して半導体ウエーハの形状データを測定し、測定した形状データを微分処理して微分プロファイルを算出し、得られた微分プロファイルの解析を行ってウエーハの表面特性を求めることにより半導体ウエーハの形状を評価することを特徴とする半導体ウエーハの形状評価方法。
IPC (3件)：
G01B21/20
, G01B21/08
, H01L21/66
G01B21/20 Z
, G01B21/08
, H01L21/66 P
2F069AA47
, 2F069AA52
, 2F069AA77
, 2F069BB15
, 2F069GG04
, 2F069GG07
, 2F069HH09
, 2F069JJ13
, 2F069JJ17
, 2F069JJ23
, 2F069NN17
, 4M106AA01
, 4M106CA24
, 4M106CA47
, 4M106CA48
, 4M106DH03
