特許
J-GLOBAL ID:200903037373640766
圧電素子,アクチュエータ及びインクジェットヘッド
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
前田 弘 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-117671
公開番号(公開出願番号):特開2003-046160
出願日: 2002年04月19日
公開日(公表日): 2003年02月14日
要約:
【要約】【課題】 単結晶基板以外の基板の上にも、圧電特性のよい圧電素子を形成するための構造及びそれを利用したデバイスを提供する。【解決手段】 圧電素子1は、PZTからなる圧電体膜2と、圧電体膜2を挟む一対の電極である下部電極3および上部電極4と、圧電体膜2と下部電極3との間に介在する厚みが約50nm〜200nmのPLTからなる下地膜5とを有している。そして、圧電素子1全体は、多結晶体であるステンレス基板や、非晶質体である耐熱性ガラス基板や、単結晶体であるシリコン基板などである基板6の上に設けられている。単結晶体以外の基板上にも、圧電特性の良好な圧電素子を設けることができる。
請求項(抜粋):
基板上に設けられる圧電素子であって、厚みが50nm以上で200nm以下の範囲にある下地膜と、上記下地膜を挟んで上記基板に対向して設けられた圧電体膜とを備えていることを特徴とする圧電素子。
IPC (9件):
H01L 41/09
, B41J 2/045
, B41J 2/055
, G11B 21/02 601
, G11B 21/10
, H01L 41/08
, H01L 41/18
, H01L 41/187
, H02N 2/00
FI (9件):
G11B 21/02 601 G
, G11B 21/10 N
, H02N 2/00 B
, H01L 41/08 C
, H01L 41/08 U
, H01L 41/18 101 D
, H01L 41/18 101 Z
, H01L 41/08 D
, B41J 3/04 103 A
Fターム (13件):
2C057AF93
, 2C057AG39
, 2C057AG44
, 2C057AG55
, 2C057BA03
, 2C057BA14
, 5D068AA02
, 5D068CC11
, 5D068EE19
, 5D068GG24
, 5D096AA02
, 5D096NN03
, 5D096NN07
引用特許:
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