特許

J-GLOBAL ID：200903038058639365

ダイヤモンド微小電極およびその製造方法

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発明者： 上塚 洋 ,  ネーベル クリストフ
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-300373
公開番号（公開出願番号）：特開2009-128041
出願日： 2007年11月20日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：

【課題】電極材料および絶縁材料がすべてダイヤモンドであり、かつ、3次元的な表面構造を有する、微小電極アレー及びその製造方法を提供する。【解決手段】ダイヤモンド電極アレー表面において、各電極における電極部分および絶縁部分がすべてダイヤモンドであり、電極部分が絶縁表面より突出した3次元構造であることを特徴とするダイヤモンド微小電極及びその製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド電極アレー表面において、各電極における電極部分および絶縁部分がすべてダイヤモンドであり、電極部分が絶縁表面より突出した3次元構造であることを特徴とするダイヤモンド微小電極。

IPC (1件)：

G01N 27/30

FI (2件)：

G01N27/30 B ,  G01N27/30 F

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 微小電極アレイおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-078674   出願人：財団法人神奈川科学技術アカデミー
• マイクロダイヤモンド電極製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-184243   出願人：学校法人慶應義塾, 株式会社堀場製作所

審査官引用 (4件)

• ダイヤモンド積層基板、電気化学素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-198089   出願人：凸版印刷株式会社, 独立行政法人物質・材料研究機構
• ダイヤモンドマイクロ電極
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2006-522423   出願人：エレメントシックスリミテッド
• マイクロダイヤモンド電極製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-184243   出願人：学校法人慶應義塾, 株式会社堀場製作所
• ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-264225   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構, 凸版印刷株式会社