有機薄膜トランジスタ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：大谷保 , 東平正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-372558
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136317
出願日： 2003年10月31日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】応答速度が高速で、しかもオン/オフ比が大きい有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の3端子、絶縁体層及び有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、縮合部位に窒素原子を有する5員環と5員環又は6員環とが縮合した含窒素ヘテロ環化合物を含む有機薄膜トランジスタ。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の3端子、絶縁体層及び有機半導体層が設けられ、ソース-ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層が、縮合部位に窒素原子を有する5員環と5員環又は6員環とが縮合した含窒素ヘテロ環化合物を含む有機薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (2件)：

H01L29/78 618B , H01L29/28

Fターム (50件)：

5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110CC09 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK32 , 5F110HM12 , 5F110QQ09

引用特許：

出願人引用 (10件)

有機薄膜トランジスタ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-345004 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
半導体デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-333152 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
薄膜トランジスタ装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-345454 出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション

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審査官引用 (6件)

液晶性電荷輸送材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-076820 出願人：大日本印刷株式会社
バイポーラ半導体膜を備えたデバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-108267 出願人：アギアシステムズインコーポレーテッド
有機ELトランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-383624 出願人：株式会社リコー

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