特許
J-GLOBAL ID：200903038765283445
製造プロセスモニタリングシステム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-050078
公開番号（公開出願番号）：特開2009-206453
出願日： 2008年02月29日
公開日（公表日）： 2009年09月10日
要約：
【課題】ホットスポット探索装置により短時間で多数の製造プロセスマージンの狭い回路パターン部をプロセスモニタリングポイントとして抽出して決定し、プロセスモニタリングポイント観察装置において高解像度で詳細に形状検査または形状測長を行うシステムを提供することにある。【解決手段】半導体ウェーハの少数のチップまたは領域を、それぞれ製造プロセス条件が異なる状態で製造し、その外観SEM画像を比較してその差分の大なるポイントを半導体ウェーハの製造における製造プロセス条件(露光条件)の狭い、狭プロセスウインドウ、即ち量産において管理すべきプロセスモニタリングポイントとして出力し、CD-SEM装置による計測ポイントとして設定するホットスポット探索装置11,12を備えたことを特徴とする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
製造プロセスモニタリングシステムであって、
互いに異なる製造プロセス条件によって回路パターンが形成された複数の領域を有する半導体ウェーハから前記領域毎のSEM画像を撮像し、該撮像した前記領域毎のSEM画像同士を比較して差分を求め、該求めた差分が基準値を超えた点をプロセスモニタリングポイント候補として抽出し、該抽出されたプロセスモニタリングポイント候補から絞込みを行ってプロセスモニタリングポイントを探索するSEM装置で構成されたホットスポット探索装置と、
前記半導体ウェーハとは異なる半導体ウェーハ上における領域又は前記半導体ウェーハ上における前記領域とは異なる領域において、前記ホットスポット探索装置で探索されたプロセスモニタリングポイントを基に該プロセスモニタリングポイントの画像を撮像し、該撮像した画像を基にプロセスモニタリングポイントの回路パターンの形状又は寸法を評価するプロセスモニタリングポイント観察装置とを備えたことを特徴とする製造プロセスモニタリングシステム。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/66 J
, H01L21/66 Z
, H01L21/30 502V
4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106CA39
, 4M106DB18
, 4M106DJ18
, 4M106DJ20
出願人引用 (3件)
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ウエハパターン観察方法及び装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-214845
出願人：セイコーインスツルメンツ株式会社
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部品検査システム
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-307104
出願人：日本電子株式会社, 日本電子システムテクノロジー株式会社
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パターン検査装置および方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2005-039871
出願人：株式会社ナノジオメトリ研究所
審査官引用 (11件)
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