特許
J-GLOBAL ID：200903039004648845
フォトマスクの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-087652
公開番号（公開出願番号）：特開2001-272766
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 迷光に起因するレジストの解像力の劣化、露光量裕度や焦点深度の劣化の程度に対する依存性を正確に把握し、迷光の影響を低減する。【解決手段】 フォトマスクの製造方法において、テストパターンの中心座標から距離R以内の領域における被覆率をC%とし、RとCの値を変化させた測定用マスクのパターンをレジストに露光した後、形成されたレジストパターンからRとCの値が異なるパターン線幅Lを測定し、線幅Lの露光量と焦点深度の依存性をマトリックス状に測定した値から、C,Rの領域でのプロセス裕度を測定し、測定されたプロセス裕度から求まる、所定の露光量裕度での最大焦点深度をCとRの関数として等高線グラフを作成し、所定の最大焦点深度が必要な場合にこれを満足する距離Rnと被覆率の範囲Cn%を求め、フォトマスクのパターン設計時にRn内の領域がCn%を満足するようにパターンを再配置する。
請求項（抜粋）：
テストパターンの中心座標から距離Rだけ離れた領域内にのみ開口があり、該開口における遮光部の被覆率をC%(100≧C≧0)とし、被覆率C%,半径Rの領域でのプロセス裕度を測定する工程と、測定されたプロセス裕度から求まる、所定の露光量裕度での最大焦点深度或いは所定の焦点深度での最大露光量裕度を、被覆率C%と距離Rの関数にして等高線グラフとして出力する工程と、所定の最大焦点深度A或いはある最大露光量裕度Bが必要であると考えた場合に、これらを満足する等高線グラフ中の任意の距離Rnと被覆率の範囲Cn%を求める工程と、パターン設計時に前記距離Rn内の領域が被覆率Cn%を満足するように、パターンを再配置する工程とを含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, G03F 1/08 S
, H01L 21/30 502 P
2H095BA02
, 2H095BB01
, 2H095BB31
, 2H095BD02
, 2H095BD23
