特許
J-GLOBAL ID：200903039289219020

窒化ケイ素配線基板

発明者：
牧野 晃久

牧野 晃久 について

, 
長谷川 智英

長谷川 智英 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339881
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156406
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】パワーモジュールなどの配線基板としてその放熱性を高めるとともに、基板の熱抵抗を低減した配線基板を提供する。【解決手段】窒化ケイ素を主成分とするセラミックスからなる絶縁基板1の一方の表面に配線回路層2が設けられ、他方の表面に放熱板4が貼付けられてなる窒化ケイ素配線基板において、絶縁基板1の他方の表面側に、銅を主成分とする導体が充填された複数のビア導体6が配設されたビア形成層1bを具備し、ビア導体1bと放熱板4とを熱的に接続してなり、絶縁基板1におけるビア形成層1bの厚みを絶縁基板全体の30〜80%とする。
請求項（抜粋）：
窒化ケイ素を主成分とするセラミックスからなる絶縁基板の一方の表面に配線回路層が設けられ、他方の表面に放熱板が貼付けられた放熱板とを具備してなる窒化ケイ素配線基板において、該絶縁基板の前記他方の表面側に、銅を主成分とする導体が充填された複数のビア導体が配設されたビア形成層を具備し、前記ビア導体と前記放熱板とが接合されてなることを特徴とする窒化ケイ素配線基板。
IPC (6件)：
H05K 1/02 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 1/11 ,  H05K 7/20
FI (6件)：
H05K 1/02 F ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 1/11 N ,  H05K 7/20 C ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/14 C
Fターム (18件)：
5E317AA24 ,  5E317BB04 ,  5E317BB12 ,  5E317CC25 ,  5E317CD34 ,  5E317GG20 ,  5E322AA11 ,  5E322AB02 ,  5E322AB11 ,  5E322FA04 ,  5E338AA18 ,  5E338BB05 ,  5E338BB16 ,  5E338BB25 ,  5E338BB71 ,  5E338CC01 ,  5E338CD01 ,  5E338EE02
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (11件)
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