特許
J-GLOBAL ID：200903039823645448

半導体受光装置

発明者：
夏秋 和弘

夏秋 和弘 について

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久保 勝

久保 勝 について

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福島 稔彦

福島 稔彦 について

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福永 直樹

福永 直樹 について

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谷 善平

谷 善平 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-305768
公開番号（公開出願番号）：特開2002-118280
出願日： 2000年10月05日
公開日（公表日）： 2002年04月19日
要約：
【要約】【課題】 短波長の信号光に対して高感度で高速応答性を有する半導体受光装置を提供する。【解決手段】 半導体受光装置は、第1導電型層2,4上に第2導電型層5が積層された受光領域7,8を含み、その第2導電型層5の表面から所定深さまではSiGe混晶層5,4で構成されており、このSiGe層4,5は、(SiGe層の底面における光の強度)/(SiGe層の表面における光の強度)=0.1となる厚さより小さな厚さを有し、かつ受光装置の動作時に受光領域に印加される逆バイアス電圧の存在下における空乏層の上面がSiGe層の底面以上に至るがその表面までは至ることのない厚さより大きな厚さを有している。
請求項（抜粋）：
半導体受光装置であって、第1導電型層上に第2導電型層が積層された受光領域を含み、前記第2導電型層の表面から所定深さまではSiGe混晶層で構成されており、前記SiGe層は、(SiGe層の底面における光の強度)/(SiGe層の表面における光の強度)=0.1となる厚さより小さな厚さを有し、かつ前記受光装置の動作時に前記受光領域に印加される逆バイアス電圧の存在下における空乏層の上面が前記SiGe層の底面以上に至るがその表面までは至ることのない厚さより大きな厚さを有していることを特徴とする半導体受光装置。
Fターム (13件)：
5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA10 ,  5F049NA14 ,  5F049NB08 ,  5F049RA04 ,  5F049RA10 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ12 ,  5F049SZ13 ,  5F049WA03
引用特許：
審査官引用 (15件)
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