特許
J-GLOBAL ID:200903040145324685
ウィスカ抑制表面処理方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-289493
公開番号(公開出願番号):特開2007-100148
出願日: 2005年10月03日
公開日(公表日): 2007年04月19日
要約:
【解決手段】錫又は錫合金皮膜にMn,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Pt,Cu,Ag,Au,Zn,Cd,Ga,In,Tl,Ge,Pb,Sb及びBiから選ばれる1種又は2種以上の金属を連続又は不連続に、かつ上記錫又は錫合金皮膜表面の一部が露出するように被着させる表面処理により、基体上の他部材が圧接固定される面や被はんだ接合部などに形成された錫又は錫合金皮膜のウィスカの発生を抑制する。【効果】Sn又はSn合金皮膜上に所定の金属を連続又は不連続に、かつ上記錫又は錫合金皮膜表面の一部が露出するように被着させることにより、接圧ウィスカの発生を抑制することができ、また、金属被着後、熱処理、リフロー処理を実施しなくとも、皮膜のはんだ濡れ性を損なうことなく、ウィスカの発生を抑制することができる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
錫又は錫合金皮膜のウィスカの発生を抑制する表面処理方法であって、上記錫又は錫合金皮膜にMn,Fe,Ru,Os,Co,Rh,Ir,Ni,Pd,Pt,Cu,Ag,Au,Zn,Cd,Ga,In,Tl,Ge,Pb,Sb及びBiから選ばれる1種又は2種以上の金属を連続又は不連続に、かつ上記錫又は錫合金皮膜表面の一部が露出するように被着させることを特徴とするウィスカ抑制表面処理方法。
IPC (4件):
C25D 5/10
, C25D 7/00
, C23C 30/00
, H01L 23/50
FI (5件):
C25D5/10
, C25D7/00 G
, C25D7/00 H
, C23C30/00 B
, H01L23/50 D
Fターム (32件):
4K024AA01
, 4K024AA03
, 4K024AA04
, 4K024AA05
, 4K024AA07
, 4K024AA09
, 4K024AA10
, 4K024AA11
, 4K024AA12
, 4K024AA21
, 4K024AB02
, 4K024AB09
, 4K024BA09
, 4K024BB10
, 4K024BB13
, 4K024GA14
, 4K024GA16
, 4K044AA06
, 4K044AB02
, 4K044BA06
, 4K044BA08
, 4K044BA10
, 4K044BB03
, 4K044BB08
, 4K044BC08
, 4K044BC14
, 4K044CA18
, 5F067AA00
, 5F067DC12
, 5F067DC16
, 5F067DC17
, 5F067EA04
引用特許:
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
-
電子装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-334919
出願人:株式会社日立製作所
-
特開昭59-035694
-
コンデンサ用リード線
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-211163
出願人:協和電線株式会社
全件表示
前のページに戻る