特許
J-GLOBAL ID:200903040322796207
電子装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
足立 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-036123
公開番号(公開出願番号):特開平11-232887
出願日: 1998年02月18日
公開日(公表日): 1999年08月27日
要約:
【要約】【課題】 フラッシュROMを備えた電子装置において、実装されたフラッシュROMのデータを書き換える際、メモリセルのフローティングゲートへ電子が過剰に注入されたり、抜き取られたりすることをなくすと共に、フラッシュROMのデータの書換時間を短縮可能な電子装置を提供する。【解決手段】 電子装置の有するフラッシュROMは、電子装置にメモリ書換装置を接続した状態で書き換えられる。このとき、電子装置は、メモリ書換装置から送信される書換要求信号を受信すると(S100:YES)、フラッシュROM24のデバイス温度を推定し(S130)、デバイス温度が所定範囲内であれば(S130:YES)書換処理を実行する(S150)。一方、デバイス温度が所定範囲外であると(S130:NO)、書換処理を実行せず、書換禁止状態であることをメモリ書換装置に通知する(S160)。
請求項(抜粋):
所定の書換電圧が印加されてデータの消去及び書き込みがなされるフラッシュROMを備え、通常時には、前記フラッシュROMに書き込まれたプログラムに従って動作し、一方、書き換え指令があった場合には、前記フラッシュROMに前記書換電圧を印加して、前記フラッシュROMの内容を書き換えるように構成された電子装置において、前記フラッシュROMのデバイス温度を推定するデバイス温度推定手段と、該デバイス温度推定手段によって推定された前記デバイス温度が所定の下限値未満である場合、前記書換電圧の印加を禁止する電圧印加禁止手段とを備えることを特徴とする電子装置。
IPC (3件):
G11C 16/02
, F02D 45/00 376
, G01K 7/00 321
FI (4件):
G11C 17/00 601 Q
, F02D 45/00 376 F
, G01K 7/00 321 M
, G11C 17/00 611 E
引用特許:
審査官引用 (9件)
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不揮発性半導体記憶装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-148491
出願人:株式会社デンソー
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車載用電子制御装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-003209
出願人:日本電装株式会社
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メモリのデータ書き込み装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-077983
出願人:株式会社東芝, 東芝エー・ブイ・イー株式会社
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