特許
J-GLOBAL ID：200903040807577872
フラッシュメモリ素子のプログラム開始バイアス設定方法及びこれを用いたプログラム方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-200427
公開番号（公開出願番号）：特開2008-117508
出願日： 2007年08月01日
公開日（公表日）： 2008年05月22日
要約：
【課題】フラッシュメモリ素子のプログラム開始バイアス設定方法及びこれを用いたプログラム方法を提供する。【解決手段】増減ステップパルスプログラム方式でプログラム動作を行うフラッシュメモリ素子のプログラム開始バイアス設定方法において、まず、第1プログラム電圧を用いて、選択されたトランジスタのしきい電圧分布を変化させる予備プログラムを行い、変化されたしきい電圧分布の最大しきい電圧値を検出し、検出された最大しきい電圧値とターゲット最大しきい電圧値との差分を計算し、該計算結果を第1プログラム電圧に加算した電圧を開始バイアスと設定する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
増分ステップパルスプログラム方式でプログラム動作を行うフラッシュメモリ素子のプログラム開始バイアス設定方法において、
第1プログラム電圧を用いて、選択されたトランジスタのしきい電圧分布を変化させる予備プログラムを行うステップと、
前記変化されたしきい電圧分布の最大しきい電圧値を検出するステップと、
前記検出された最大しきい電圧値とターゲット最大しきい電圧値との差分を計算するステップと、
前記計算結果を前記第1プログラム電圧に加算した電圧を開始バイアスと設定するステップと、
を含む、フラッシュメモリ素子のプログラム開始バイアス設定方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G11C17/00 611E
, G11C17/00 611A
5B125BA01
, 5B125CA18
, 5B125DB08
, 5B125DB12
, 5B125DB18
, 5B125EA05
, 5B125FA01
, 5B125FA02
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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