特許
J-GLOBAL ID：200903041236618254
赤外線放射素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-051005
公開番号（公開出願番号）：特開2009-210290
出願日： 2008年02月29日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：
【課題】入力電力に対する応答速度が速く且つ赤外線の出力の高出力化が可能な赤外線放射素子を提供する。【解決手段】半導体基板1の一表面側に形成された凹所2の周部の複数箇所(2箇所)の間に架け渡された絶縁膜からなる梁部6にヒータ層3が設けられており、ヒータ層3へ電力を与えることによりヒータ層3から赤外線が放射される赤外線放射素子であり、凹所2が、半導体基板1の上記一表面側の一部を陽極酸化することにより形成した多孔質部13を除去することに形成され、凹所2の内面がヒータ層3から放射された赤外線を所望の赤外線取出し方向へ反射する凹面ミラー2aを構成している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板の一表面側に形成された凹所の周部の複数箇所の間に架け渡された絶縁膜からなる梁部にヒータ層が設けられ、ヒータ層へ電力を与えることによりヒータ層から赤外線が放射される赤外線放射素子であって、前記凹所が、半導体基板の前記一表面側の一部を陽極酸化することにより形成した多孔質部を除去することにより形成され、前記凹所の内面がヒータ層から放射された赤外線を所望の赤外線取出し方向へ反射する凹面ミラーを構成していることを特徴とする赤外線放射素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N21/01 D
, H05B3/20 303
2G059BB01
, 2G059HH01
, 2G059JJ14
, 2G059NN05
, 3K034AA02
, 3K034AA16
, 3K034BA04
, 3K034BB08
, 3K034FA24
, 3K034FA29
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (7件)
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