特許
J-GLOBAL ID：200903043009575878
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-083171
公開番号（公開出願番号）：特開2004-047948
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年02月12日
要約：
【課題】酸化膜に窒素原子を導入することにより、絶縁膜のリーク電流を抑制し、かつ基板表面への有機汚染物質の付着を防止する。【解決手段】処理室26と、この処理室26内で被処理基板を支持する基板支持体46と、処理室26の周囲に配置された筒状電極50及び磁力線形成手段58とを有するプラズマ処理装置24を用いる。基板支持体46の高周波インピーダンスを高周波回路64により切り替えることによって、被処理基板に酸化膜を形成する第1のプロセスと、この第1のプロセスにより形成された酸化膜をプラズマ活性な窒素ガスにより窒化処理して酸窒化膜を形成する第2のプロセスとを、連続して行う。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
処理室と、該処理室内で被処理基板を支持する基板支持体と、前記処理室周囲に配置された筒状電極及び磁力線形成手段とを有するプラズマ処理装置を用い、前記基板支持体の高周波インピーダンスを切り替えることにより、前記被処理基板に酸化膜を形成する第1のプロセスと、この第1のプロセスにより形成された酸化膜をプラズマで活性化された窒素活性種により窒化処理して酸窒化膜を形成する第2のプロセスとを、連続して行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L21/318
, H01L21/316
, H01L29/78
, H05H1/46
H01L21/318 C
, H01L21/316 A
, H05H1/46 A
, H01L29/78 301G
5F058BC02
, 5F058BC11
, 5F058BF72
, 5F058BG01
, 5F058BG10
, 5F058BH16
, 5F058BJ10
, 5F140AA24
, 5F140BA01
, 5F140BD09
, 5F140BE07
, 5F140BE08
, 5F140BE13
, 5F140BF01
, 5F140BF04
, 5F140CE10
