特許
J-GLOBAL ID：200903041955106109

半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
近藤 直幸

近藤 直幸 について

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林 隆夫

林 隆夫 について

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土井 尚子

土井 尚子 について

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藤井 俊平

藤井 俊平 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-155914
公開番号（公開出願番号）：特開2005-159276
出願日： 2004年05月26日
公開日（公表日）： 2005年06月16日
要約：
【課題】 半導体発光素子にかかる応力の低減や封止材料の割れを防止するとともに、半導体発光素子からの光取り出し効率を向上させることができる半導体発光装置およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】 表面に凹部2が設けられるとともに所定の電気回路パターン8が形成された基板1と、凹部2の底面に実装した半導体発光素子9と、凹部2に充填して半導体発光素子9を封止する封止材とを備えた半導体発光装置であって、この封止材は、凹部2の底面に実装された半導体発光素子9の高さに相等する厚みに形成された第一の封止材料5と、半導体発光素子9及び第一の封止材料5の上面側に形成された第二の封止材料6とからなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
表面に凹部が設けられるとともに所定の電気回路パターンが形成された基板と、当該凹部の底面に実装した半導体発光素子と、当該凹部に充填して半導体発光素子を封止する封止材とを備えた半導体発光装置であって、 前記封止材は、凹部の底面に実装された半導体発光素子の高さに相等する厚みに形成された第一の封止材料と、半導体発光素子及び第一の封止材料の上面側に形成された第二の封止材料とからなることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 N
Fターム (7件)：
5F041AA03 ,  5F041AA34 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041DA20 ,  5F041DA77 ,  5F041DA78
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 面実装半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-266124   出願人：シャープ株式会社
審査官引用 (15件)
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