特許
J-GLOBAL ID：200903042397823652

半導体装置およびその製造方法

発明者：
岩崎 富生

岩崎 富生 について

, 
三浦 英生

三浦 英生 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-036824
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317455
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】積層配線構造においてボイドや断線を起こしにくい、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板上に導電性膜と該導電性膜に接触して隣接膜が積層された積層配線構造を有する半導体装置において<HAN>、</HAN>前記導電性膜の自由エネルギー最小面を構成する長方格子の短辺a<SB>p</SB>と前記隣接膜の自由エネルギー最小面を構成する長方格子の短辺a<SB>n</SB>の差{|a<SB>p</SB>-a<SB>n</SB>|/a<SB>p</SB>}×100=A(%)と前記導電性膜の自由エネルギー最小面を構成する長方格子の長辺b<SB>p</SB>と前記隣接膜の自由エネルギー最小面を構成する長方格子の長辺b<SB>n</SB>の差{|b<SB>p</SB>-b<SB>n</SB>|/b<SB>p</SB>}×100=B(%)が{A+B×(a<SB>p</SB>/b<SB>p</SB>)}<13なる不等式を満足するように前記導電性膜と前記隣接膜の材料を選択することにより、導電性膜の拡散を抑える。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面側に形成された銅(Cu)膜配線と、該銅(Cu)膜配線に接触して形成されたバリヤメタルとを有する積層構造を備えた半導体装置において、前記バリヤメタルはルテニウム(Ru)膜であり、前記銅(Cu)膜配線はスパッタリングを用いて形成された銅(Cu)膜とメッキを用いて形成された銅(Cu)膜との積層構造を備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301
FI (2件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/28 301 R
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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