特許
J-GLOBAL ID：200903043218711398

ポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法

発明者：
水谷 一良

水谷 一良 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (4件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-095524
公開番号（公開出願番号）：特開2006-276459
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】高エネルギー線、X線、電子線あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、アウトガス低減、良好な溶解コントラストを同時に満足するポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)少なくとも2つの酸分解性基と、芳香環と、アルキレン鎖またはシクロアルキレン鎖とを有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する化合物をポジ型レジスト組成物の固形分中、65質量%以上含有し、更に(B)活性光線または放射線の作用により酸を発生する特定構造の化合物を含有するポジ型レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)少なくとも2つの酸分解性基と、芳香環と、アルキレン鎖またはシクロアルキレン鎖とを有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する化合物をポジ型レジスト組成物の固形分中、65質量%以上含有し、更に (B)下記一般式(I)で示される活性光線または放射線の作用により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (3件)：
G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027
FI (4件)：
G03F7/039 601 ,  G03F7/004 501 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R
Fターム (15件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB52 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (6件)
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