特許
J-GLOBAL ID：200903044373560130

半導体発光装置及びその製造方法

発明者：
小野村 正明

小野村 正明 について

, 
布上 真也

布上 真也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078027
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280674
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 発振しきい値電流が低く、高出力化と発振波長制御性の向上を図った、窒化物系半導体を用いた半導体発光装置とその製造方法を提供する。【解決手段】 n型GaN基板10に、n型GaxInyAlzB1-x-y-zN(0≦x,y,z、x+y+z≦1)系半導体からなるバッファ層11が形成され、その表面には、ストライプ状突起23を形成することにより、基板表面に略垂直な側面をもって段差12が加工される。このバッファ層11の段差側面12に基板に対して傾斜した成長面をもってn型GaxInyAlzB1-x-y-zN(0≦x,y,z、x+y+z≦1)系半導体からなる下部クラッド層14が形成され、更にその成長面に基板に対して傾斜した成長面を有する、GaxInyAlzB1-x-y-zN(0≦x,y,z、x+y+z≦1)系半導体からなる活性層15が形成される。この活性層15を覆うようにp型GaxInyAlzB1-x-y-zN(0≦x,y,z、x+y+z≦1)系半導体からなる上部クラッド層16が形成される。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に形成されて、表面に略垂直な側面をもって段差が形成された、窒化物系半導体からなるバッファ層と、このバッファ層の前記段差の側面に前記基板に対して傾斜した成長面をもってエピタキシャル成長された窒化物系半導体からなる活性層と、を有することを特徴とする半導体発光装置。
IPC (4件)：
H01S 5/343 610 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/13357 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
H01S 5/343 610 ,  G02F 1/13 505 ,  G02F 1/13357 ,  H01L 21/205
Fターム (43件)：
2H088EA14 ,  2H088HA24 ,  2H088HA28 ,  2H088MA06 ,  2H091FA26X ,  2H091FA26Z ,  2H091FA41Z ,  2H091FA46Z ,  2H091LA16 ,  2H091MA07 ,  5F045AA04 ,  5F045AB19 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC18 ,  5F045AD12 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CA12 ,  5F045DA51 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F073AA21 ,  5F073AA46 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB04 ,  5F073BA06 ,  5F073BA09 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073EA19 ,  5F073EA28 ,  5F073FA15 ,  5F073FA22
引用特許：
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (15件)
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