特許
J-GLOBAL ID：200903044384825462
半導体光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-364163
公開番号（公開出願番号）：特開2001-185815
出願日： 1999年12月22日
公開日（公表日）： 2001年07月06日
要約：
【要約】【課題】InP基板上に結晶成長によって作製したAlを組成に含む高品質で信頼性が高い半導体光素子を提供する。【解決手段】Sドーピング密度が少なくとも2×1018cm-3のn-InP基板またはZnドーピング密度が少なくとも3×1018cm-3のp-InP基板を用いる。【効果】成長中のAl原子の欠陥への集中的な捕獲を低減することによって高品質な結晶成長が可能となり、Alを組成に含む半導体レーザが歩留まりよく得られる。
請求項（抜粋）：
InP基板上への結晶成長によって作製した半導体光素子において、結晶成長によって形成した成長層の中にAlを組成に含む層を少なくとも1つ持ち、前記InP基板がSドープn型InP基板であることを特徴とする半導体光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/323
, H01L 33/00 B
5F041AA31
, 5F041AA41
, 5F041AA43
, 5F041CA05
, 5F041CA22
, 5F041CA34
, 5F041CA74
, 5F041CB13
, 5F041CB32
, 5F041DA03
, 5F041DA07
, 5F041DA20
, 5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA53
, 5F073AA74
, 5F073BA01
, 5F073CA15
, 5F073CB02
, 5F073DA22
, 5F073EA29
, 5F073FA02
, 5F073FA21
, 5F073FA27
