特許
J-GLOBAL ID：200903044853141251

磁気デバイスおよびその形成方法

発明者：
カナカサバパシ、シヴァナンダ ケイ.

カナカサバパシ、シヴァナンダ ケイ. について

, 
ガイジス、マイケル シー.

ガイジス、マイケル シー. について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (4件)： 上野 剛史 ,  太佐 種一 ,  市位 嘉宏 ,  坂口 博
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-527902
公開番号（公開出願番号）：特表2009-506531
出願日： 2006年05月04日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：
【課題】磁気デバイスを形成する技術を提供する。【解決手段】一態様では、磁気デバイスに対して自己整合されるビア・ホールを形成する方法が、以下のステップを含む。磁気デバイスの少なくとも一部分の上に誘電体層が形成される。誘電体層は、磁気デバイスに最も近接して、第1材料を含む下層を有し、下層に対して、磁気デバイスとは反対側の面に、第2材料を含む上層を有するように構成されている。第1材料と第2材料とは異なるものである。第1エッチング段階では、第1エッチャントを使用して、上層から開始し上層を貫通して誘電体層をエッチングする。第2エッチング段階では、下層のエッチングに対して選択的な第2エッチャントを使用して、下層を貫通して誘電体層をエッチングする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
磁気デバイスに自己整合されたビア・ホールを形成する方法であって、前記方法が、 前記磁気デバイスの少なくとも一部分の上に誘電体層を形成するステップであって、前記誘電体層が、前記磁気デバイスに最も近接して形成された下層と、前記下層に対して、前記磁気デバイスとは反対側の上面に形成された上層とを有し、前記下層が第1材料を含み、前記上層が前記第1材料とは異なる第2材料を含む、ステップと、 第1エッチング段階において、第1エッチャントを使用して、前記上層から開始して前記上層を少なくとも部分的に貫通して前記誘電体層をエッチングするステップと、 第2エッチング段階において、前記下層に対して選択的な第2エッチャントを使用して前記誘電体層をエッチングし、前記下層を少なくとも部分的に貫通して前記誘電体層をエッチングするステップと、 を含む、方法。
IPC (6件)：
H01L 43/12 ,  H01L 21/768 ,  H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/306
FI (5件)：
H01L43/12 ,  H01L21/90 A ,  H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L21/302 105A
Fターム (38件)：
4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119FF02 ,  4M119FF13 ,  4M119JJ12 ,  4M119JJ16 ,  5F004CB02 ,  5F004CB15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA28 ,  5F004EA37 ,  5F004EB01 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033VV16 ,  5F033XX03 ,  5F033XX15 ,  5F092AA11 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092BB81 ,  5F092BB82 ,  5F092CA08
引用特許：
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (11件)
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