特許
J-GLOBAL ID:200903045329349623

ラネー金属触媒を用いたシクロヘキサンジメタノールのための方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-501938
公開番号(公開出願番号):特表2007-526326
出願日: 2005年03月01日
公開日(公表日): 2007年09月13日
要約:
レニウムドープ・ラネー金属触媒の存在下における、シクロヘキサンジカルボキシレートエステルの水素化によるシクロヘキサンジメタノールのための方法が開示されている。本方法は、ジアルキル1,4-シクロヘキサンジカルボキシレート又はジアルキルテレフタレートからの、1,4-シクロヘキサンジメタノールの製造に有用である。触媒としてラネーニッケルを使用すると、本方法は高トランス含有率を有するCHDMを製造する。
請求項(抜粋):
水素化温度及び圧力条件下で、レニウム並びにニッケル、銅及びコバルトから選ばれる1種又はそれ以上の金属を含むラネー金属触媒の存在下に、シクロヘキサンジカルボキシレートエステルを水素と接触させることを含んでなるシクロヘキサンジメタノールのための方法。
IPC (3件):
C07C 29/149 ,  C07C 31/27 ,  C07B 61/00
FI (3件):
C07C29/149 ,  C07C31/27 ,  C07B61/00 300
Fターム (18件):
4H006AA02 ,  4H006AC41 ,  4H006BA05 ,  4H006BA16 ,  4H006BA19 ,  4H006BA21 ,  4H006BA70 ,  4H006BC10 ,  4H006BC11 ,  4H006BC13 ,  4H006BC14 ,  4H006BC31 ,  4H006BD20 ,  4H006BE20 ,  4H006FC22 ,  4H006FE11 ,  4H039CA60 ,  4H039CB20
引用特許:
出願人引用 (29件)
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審査官引用 (6件)
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