特許
J-GLOBAL ID：200903045523670220

光半導体素子及びその製造方法

発明者：
佐野 芳明

佐野 芳明 について

, 
笠置 昌克

笠置 昌克 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-243705
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087759
出願日： 1997年09月09日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 素子に連結される直列抵抗、インダクタンスや寄生容量を極力低減し、高周波特性に優れた光半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半絶縁性InP基板21上に、n型InPオーミック層22、n型InGaAsPクラッド層23、ノンドープのInGaAs光吸収層24、p型InGaAsPクラッド層25、p型InPオーミック層26からなるリッジ型の導波路形状を有し、このリッジ型の導波路形状の両側には、オーミック性電極32が形成され、n型InPオーミック層22に接続されている。更に、リッジ型の導波路形状の上部には、p型InPオーミック層26の幅よりも広い幅のオーミック性電極35が形成されている。また、このオーミック性電極35は、半絶縁性InP基板21上のパッド部にオーミック性電極35と一体に接続される配線により接続されている。
請求項（抜粋）：
リッジ形状を有する光半導体素子において、リッジ上面側のオーミック性電極が該リッジ上面側と完全に接触するとともに前記オーミック性電極の電極幅が前記リッジ上面の幅よりも大きい形状を有することを特徴とする光半導体素子。
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (7件)
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