半導体集積回路装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：須山佐一 , 川原行雄 , 山下聡 , 須山英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-039157
公開番号（公開出願番号）：特開2008-205165
出願日： 2007年02月20日
公開日（公表日）： 2008年09月04日
要約：

【課題】半導体基板上において、少なくとも1つの機能性素子が構成される半導体集積回路装置において、機能性素子の直上側または直下側にダミー金属パターンを用いることなく、その剛性や電気的特性の劣化を抑制するとともに、前記機能性素子の性能を十分に発揮できるようにする。【解決手段】半導体基板上において、少なくとも1つの機能性素子が構成された半導体集積回路装置において、前記機能性素子の上側及び下側の少なくとも一方において層間絶縁膜を介して形成されるとともに、その層間絶縁膜で分離されている金属配線同士を繋ぐ層間接続体の内側であって前記機能性素子の外側に位置する領域において、前記機能性素子を囲むようにしてダミー金属部を設ける。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板上において、少なくとも1つの機能性素子が構成された半導体集積回路装置であって、前記機能性素子の上側及び下側の少なくとも一方において層間絶縁膜を介して形成されるとともに、その層間絶縁膜で分離されている金属配線同士を繋ぐ層間接続体の内側であって前記機能性素子の外側に位置する領域において、前記機能性素子を囲むようにしてダミー金属部を設けたことを特徴とする、半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/82

FI (4件)：

H01L21/88 S , H01L27/04 A , H01L27/04 C , H01L21/82 F

Fターム (32件)：

5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033MM01 , 5F033UU04 , 5F033VV01 , 5F033VV10 , 5F033VV11 , 5F038AC05 , 5F038AC10 , 5F038AV15 , 5F038CA02 , 5F038CA09 , 5F038CA18 , 5F038CD10 , 5F038CD12 , 5F038CD13 , 5F038CD18 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F064CC23 , 5F064EE14 , 5F064EE23 , 5F064EE27 , 5F064EE32 , 5F064EE33 , 5F064EE51 , 5F064FF27 , 5F064FF32 , 5F064FF34 , 5F064FF42

引用特許：

出願人引用 (1件)

特開平4-307958号

審査官引用 (8件)

半導体装置およびそのレイアウト方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-156541 出願人：エヌイーシーマイクロシステム株式会社
パターン発生方法、半導体装置の製造方法、半導体装置及びプログラム
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-321571 出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-305028 出願人：株式会社東芝

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