特許
J-GLOBAL ID：200903046466396651

半導体レ-ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置

発明者：
足立 秀人

足立 秀人 について

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木戸口 勲

木戸口 勲 について

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上山 智

上山 智 について

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上野山 雄

上野山 雄 について

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萬濃 正也

萬濃 正也 について

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福久 敏哉

福久 敏哉 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-123225
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068610
出願日： 1996年03月27日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：
【要約】【課題】 特に半導体レーザを構成する可飽和吸収層やスペーサ層のドーピングの程度や厚さを適切に設定することによって、安定な自励発振特性を有する高信頼性の半導体レーザを提供する。【解決手段】 本発明の半導体レーザ装置は、n型GaAsからなる基板201と、活性層204と、活性層204を挟む一対のクラッド層と、を含む。装置は、更に、活性層204に隣接したスペーサ層205と、高ドープ可飽和吸収層206と、を含む。可飽和吸収層206に高ドープすることにより、キャリア寿命が短縮されて、安定した自励発振が得られる。その結果、広い温度範囲に渡って低い相対雑音強度を有する半導体レーザ装置が得られる。
請求項（抜粋）：
活性層と、該活性層を挟むクラッド構造と、を備えた自励発振型半導体レーザ装置であって、該クラッド構造は可飽和吸収層を含んでおり、該可飽和吸収層は、その光閉じ込め係数が約1%以上になるように、該活性層から離れた位置に配置されている、自励発振型半導体レーザ装置。
IPC (2件)：
H01S 5/323 ,  G11B 7/125
FI (2件)：
H01S 3/18 673 ,  G11B 7/125 A
引用特許：
審査官引用 (21件)
  • 自励発振型半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-049366   出願人：三洋電機株式会社
  • 特開平4-049691
  • 半導体レーザ素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-038561   出願人：三洋電機株式会社
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