改善したコンタクトバリアを有する集積回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小橋一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-107249
公開番号（公開出願番号）：特開平7-312354
出願日： 1995年05月01日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：

【要約】【目的】優れた相互拡散バリア特性のコンタクト構成体を有する集積回路及びその製造方法を提供する。【構成】本発明によれば、コンタクトの底部における露出されたシリコンにおいて形成したシリサイド膜に隣接してチタンオキシナイトライド膜を設けることによりバリア層のバリア特性が向上されている。チタンオキシナイトライド膜は、コンタクト内のシリコンと接触しているチタン金属層の上に低密度窒化チタン膜を付着形成し、その後に空気へ露呈させることにより比較的大量の酸素及び窒素が窒化チタン内に侵入することを許容することにより形成することが可能である。迅速熱アニール(RTA)により、コンタクト位置においてシリサイド化が発生し、且つ酸素及び窒素がゲッタリングされ、酸素及び窒素はチタン金属及び雰囲気中の窒素と反応してチタンオキシナイトライドを形成する。

請求項（抜粋）：

コンタクト位置にバリア層を有する集積回路構成体の製造方法において、本体の半導体表面にドープした半導体領域を形成し、前記ドープした領域の上にコンタクト開口を貫通させた誘電体膜を形成し、前記誘電体膜を形成するステップの後に、前記ドープした領域の表面と接触し且つ前記誘電体膜の上側にチタン金属を有する層を付着形成し、前記チタン金属を有する層の上に低密度窒化チタンの層を付着形成し、そのようにして構成されたものを酸素を担持する雰囲気へ露呈させ、前記露呈ステップの後に、アニーリングを行なって前記コンタクト開口内で前記ドープした領域の表面の上側にチタンオキシナイトライド膜を形成し、次いで前記コンタクト開口内で前記チタンオキシナイトライド膜上にアルミニウムメタリゼーションを付着形成する、上記各ステップを有することを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 , H01L 21/324 , H01L 21/768

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-242191 出願人：川崎製鉄株式会社
配線形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-214213 出願人：ソニー株式会社
バリア金属層形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-315362 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド

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