特許

J-GLOBAL ID：200903046914863533

ホトレジスト組成物用樹脂、ホトレジスト組成物、およびレジストパターン形成方法

発明者： 羽田 英夫 ,  竹下 優 ,  松丸 省吾 ,  清水 宏明
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-057449
公開番号（公開出願番号）：特開2005-206775
出願日： 2004年03月02日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】 解像性、ラインエッジラフネス特性が良好なホトレジスト組成物用樹脂、およびこれを用いたホトレジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 ポリマー末端に炭素原子に結合した水酸基を有し、当該水酸基のα位の炭素原子が、少なくともひとつの電子吸引性基を有することを特徴とするホトレジスト組成物用樹脂。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

ポリマー末端に炭素原子に結合した水酸基を有し、当該水酸基のα位の炭素原子が、少なくともひとつの電子吸引性基を有することを特徴とするホトレジスト組成物用樹脂。

IPC (5件)：

C08F220/28 ,  C08F2/38 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (5件)：

C08F220/28 ,  C08F2/38 ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (29件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J011NA25 ,  4J011NB05 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BA11P ,  4J100BA20P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC53P ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100CA27 ,  4J100DA01 ,  4J100DA36 ,  4J100FA04 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (9件)

• 特許2881969号公報
  
• レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-156818   出願人：富士通株式会社
• 放射線感光材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-276597   出願人：富士通株式会社
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050264   出願人：富士通株式会社
• レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-312722   出願人：富士通株式会社
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-320105   出願人：富士通株式会社
• レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-130131   出願人：富士通株式会社
• 酸感応性重合体、レジスト組成物、レジストパターン形成方法、および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-165935   出願人：富士通株式会社
• 化学増幅型レジスト用共重合体の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-176931   出願人：三菱レイヨン株式会社

審査官引用 (1件)

• 新規チオール化合物、共重合体及び共重合体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-013879   出願人：丸善石油化学株式会社