特許
J-GLOBAL ID：200903047186509384

反応チャンバ及びこれを用いた誘電膜の形成方法

発明者：
元 皙俊

元 皙俊 について

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朴 泳旭

朴 泳旭 について

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▲形▼ 庸宇

▲形▼ 庸宇 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188982
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077397
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】 誘電膜の形成に必要なガス供給ライン中の1つが誘電膜のアニールに必要なアニールガスの供給ラインとしても用いられる反応チャンバ及びこれを用いた誘電膜の形成方法を提供する。【解決手段】 反応チャンバ40を用いて誘電膜の形成と形成された誘電膜のアニールとをインサイチュで実施する。これにより、誘電膜形成工程の工程時間を短縮して半導体装置の生産性を向上させるだけでなく、一つの反応チャンバ40で誘電膜の形成と誘電膜のアニーリングが行われることによって関連設備の体積を小さくし設備を単純化することができる。
請求項（抜粋）：
天井にシャワーヘッドが備えられ、底上の前記シャワーヘッドの下に半導体基板がローディングされる半導体基板装着台が備えられ、前記半導体基板上に誘電膜を形成する反応チャンバにおいて、前記シャワーヘッドに第1ガス供給ライン及び第2ガス供給ラインが連結されており、前記第1ガス供給ラインは前記誘電膜のソースガスが供給されるラインであり、前記第2ガス供給ラインは前記誘電膜の反応ガス及び前記誘電膜のアニールガスが供給される少なくとも二種のガス供給に共同で使用されるラインであることを特徴とする反応チャンバ。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316
FI (2件)：
H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X
引用特許：
出願人引用 (11件)
  • 誘電体薄膜のMOCVD方法およびアニール方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-338225   出願人：ソニー株式会社
  • CVD薄膜形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-319842   出願人：大阪瓦斯株式会社
  • オゾン分解器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-241778   出願人：株式会社島津製作所
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審査官引用 (16件)
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