特許
J-GLOBAL ID：200903074077778160

誘電体薄膜のMOCVD方法およびアニール方法

発明者：
斎藤 正樹

斎藤 正樹 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-338225
公開番号（公開出願番号）：特開平10-182300
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1998年07月07日
要約：
【要約】【課題】 T2 O5 やペロブスカイト系誘電体薄膜のリーク電流を低減し、絶縁耐圧を向上する。【解決手段】 有機金属化合物とオゾンとを原料ガスとしたMOCVD方法を採用する。また、成膜装置内でIn-situでオゾンアニールする。【効果】 誘電体薄膜中の残留有機成分が効果的に除去され、また構造欠陥も低減される。
請求項（抜粋）：
有機金属化合物ガスと、酸化性ガスとを用いる誘電体薄膜のMOCVD方法であって、前記酸化性ガスは、オゾンを含むことを特徴とする誘電体薄膜のMOCVD方法。
IPC (5件)：
C30B 33/02 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316
FI (5件)：
C30B 33/02 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/56 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 P
引用特許：
審査官引用 (11件)
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