特許
J-GLOBAL ID：200903047285723312

膜形成用組成物、絶縁膜の形成方法、絶縁膜、および半導体装置

発明者：
三田 倫広

三田 倫広 について

, 
黒澤 孝彦

黒澤 孝彦 について

, 
長谷川 公一

長谷川 公一 について

, 
関口 学

関口 学 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  井上 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-138792
公開番号（公開出願番号）：特開2005-320412
出願日： 2004年05月07日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】 本発明は、半導体素子などにおいて用いられる層間絶縁膜の材料として、平坦化効果に優れた膜形成用組成物、絶縁膜の形成方法、絶縁膜、および半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明に係る膜形成用組成物は、(A)アルコキシシランを、金属キレート化合物および酸触媒の少なくとも一方と、水の存在下で加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物、(B)アルコキシシランを、アルカリ触媒と、水の存在下で加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物、有機溶媒、および水を含有し、(A)成分の重量比が、前記(B)成分の重量比より大きい。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(A)成分;下記一般式(1)で表される化合物と、下記一般式(2)〜(4)で表される化合物から選ばれる、少なくとも1種の化合物とを、金属キレート化合物および酸触媒の少なくとも一方と、水の存在下で加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物、 (B)成分;下記一般式(1)で表される化合物と、下記一般式(2)〜(4)で表される化合物のうち、少なくとも1種の化合物とを、アルカリ触媒と、水の存在下で加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物、 有機溶媒、および 水を含有し、 前記(A)成分中、一般式(1)〜(4)で表される化合物の総量に対して、一般式(1)で表される化合物の割合が60モル%以上であり、 前記(B)成分中、一般式(1)〜(4)で表される化合物の総量に対して、一般式(1)で表される化合物の割合が40モル%以上であり、かつ 前記(A)成分の重量比が、前記(B)成分の重量比より大きい、膜形成用組成物。 R1Si(OR2 )3 ・・・・・(1) (式中、R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R2は1価の有機基を示す。) R32Si(OR4)2 ・・・・・(2) (式中、R3は水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R4 は1価の有機基を示す。) Si(OR5)4 ・・・・・(3) (式中、R5 は1価の有機基を示す。) R6a(R7 O)3-a Si-(R10)c-Si(OR8)3-b R9b・・・・・(4) 〔式中、R6〜R9 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、aおよびbは同一または異なり、0〜2の整数を示し、R10 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n -で表される基であり(ここで、nは1〜6の整数である)、cは0または1を示す。〕
IPC (2件)：
C08L83/04 ,  H01L21/312
FI (2件)：
C08L83/04 ,  H01L21/312 C
Fターム (17件)：
4J002CP03W ,  4J002CP03X ,  4J002GQ01 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA20 ,  5F058BF46 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F058BH17 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM