特許
J-GLOBAL ID：200903047686231188
半導体素子付き配線基板、配線基板及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
足立 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-059612
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256307
出願日： 1997年03月13日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 接合部分の耐久性に優れ、しかも生産性、品質、コストの点でも優れた半導体素子付き配線基板、配線基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 ソルダーレジスト11上にメタルマスク13を載置する。このとき、ソルダーレジスト11の開口部12とメタルマスク13の開口14とが一致する様にして載置する。次に、半田ペースト17として、半田粒径10〜20μmの共晶半田粒17aとフラックス17bからなる半田ペースト17を使用し、メタルマスク13を用いてスキージ印刷を行う。これにより、開口部分16に、所定の体積VSに相当する半田ペースト17が充填される。次に、メタルマスク13を除去する。次に、この状態で、最高温度210°Cの遠赤外線リフロー炉にて共晶半田粒17aを溶融させ、その後冷却して基板側バンプ8を形成する。
請求項（抜粋）：
Cuを含む素子側パッド上に、Snを含まないかあるいは多くとも20wt%以下含む素子側半田材料からなる素子側半田バンプを有する半導体素子と、前記素子側半田バンプより融点が低く、かつ20wt%以上のSnを含む基板側半田材料からなる基板側半田バンプとを、前記素子側半田バンプに前記基板側半田バンプを融着することにより、前記半導体素子と前記配線基板とを接合してなる半導体素子付き配線基板であって、前記基板側半田材料が、前記素子側パッドから離隔していることを特徴とする半導体素子付き配線基板。
引用特許：
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