特許
J-GLOBAL ID：200903049158525512

研磨用組成物及び研磨加工方法

発明者：
吉田 明利

吉田 明利 について

, 
小川 佳久

小川 佳久 について

, 
田中 弘明

田中 弘明 について


出願人/特許権者：
田中 弘明

田中 弘明 について


代理人 (1件)： 田中 宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-115290
公開番号（公開出願番号）：特開平11-302634
出願日： 1998年04月24日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：
【要約】【目的】本発明は、シリコンウェーハ等半導体基板の表面の研磨加工を行なう研磨用組成物および該研磨用組成物の調整方法、および該研磨用組成物を用いた研磨加工方法に関する。【構成】平均一次粒子径が8〜500nmの酸化珪素粒子を1〜15重量%含むコロイド溶液からなり、該コロイド溶液が、25°Cにおける酸解離定数の逆数の対数値が8.0〜12.0の弱酸及び/または弱塩基を使用して、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基あるいは弱酸と弱塩基の何れかの組み合わせのものを添加することによって、pH8.7〜10.6の間で緩衝作用を有する緩衝溶液として調整されたものであることを特徴とする研磨用組成物、好ましくは25°Cにおける導電率が、酸化珪素1重量%あたり20mS/m以上である研磨用組成物を提供する。更に、その研磨用組成物を使用したシリコンウェーハ等半導体基板の表面の研磨加工方法を提供する。
請求項（抜粋）：
平均一次粒子径が8〜500nmの酸化珪素粒子を1〜15重量%含むコロイド溶液からなり、該コロイド溶液が、25°Cにおける酸解離定数の逆数の対数値が8.0〜12.0の弱酸及び/または弱塩基を使用して、弱酸と強塩基、強酸と弱塩基あるいは弱酸と弱塩基の何れかの組み合わせのものを添加することによって、pH8.7〜10.6の間で緩衝作用を有する緩衝溶液として調整されたものであることを特徴とする研磨用組成物。
IPC (2件)：
C09K 3/14 550 ,  H01L 21/304 622
FI (2件)：
C09K 3/14 550 D ,  H01L 21/304 622 B
引用特許：
出願人引用 (13件)
  • 特開平4-313224
  • 研磨液
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-224208   出願人：富士通株式会社
  • 特開平1-135026
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審査官引用 (15件)
  • 特開平4-313224
  • 特開平4-063428
  • 特開平4-313224
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