特許
J-GLOBAL ID:200903049206737420

熱電素子モジュール及びその製法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河備 健二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-170733
公開番号(公開出願番号):特開2005-353710
出願日: 2004年06月09日
公開日(公表日): 2005年12月22日
要約:
【課題】従来の熱電素子モジュールがもつ問題点を解消し、熱効率に優れ、熱電素子モジュールの強度を向上することができると共に、良好な絶縁信頼性と接続信頼性を維持でき、小型化や量産性が向上し製造が容易である高性能の熱電素子モジュール及びその製法を提供する。【解決手段】2つの基板間に、複数のn型及びp型の熱電半導体素子を行列状に配設し、熱電半導体素子端面と電極面とを接合してなる熱電素子モジュールにおいて、 各熱電半導体素子端面の表面上にマイグレーション防止導電皮膜層を積層することを特徴とする熱電素子モジュール及びその製法などを提供した。【選択図】図2
請求項(抜粋):
2つの基板間に、複数のn型及びp型の熱電半導体素子を行列状に配設し、熱電半導体素子端面と電極面とを接合してなる熱電素子モジュールにおいて、 各熱電半導体素子端面の表面上にマイグレーション防止導電皮膜層を積層することを特徴とする熱電素子モジュール。
IPC (2件):
H01L35/32 ,  H01L35/34
FI (2件):
H01L35/32 A ,  H01L35/34
引用特許:
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (2件)

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