高分子化合物及びポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-215907
公開番号（公開出願番号）：特開2005-133066
出願日： 2004年07月23日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】高エネルギー線での露光において、高感度で高解像性を有し、また、現像時の膨潤が抑えられるためラインエッジラフネスが小さく、現像後の残渣が少ないポジ型レジスト材料を提供する。【解決手段】少なくとも、下記一般式(1a)で示される繰り返し単位と、下記一般式(1b)で示される繰り返し単位及び/又は下記一般式(1c)で示される繰り返し単位とを有する高分子化合物、およびこれをベース樹脂として配合したポジ型レジスト材料。【化52】【選択図】なし

請求項（抜粋）：

少なくとも、下記一般式(1a)で示される繰り返し単位と、下記一般式(1b)で示される繰り返し単位及び/又は下記一般式(1c)で示される繰り返し単位とを有する高分子化合物。

IPC (4件)：

C08F220/18 , G03F7/033 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (4件)：

C08F220/18 , G03F7/033 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

Fターム (30件)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA04 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC04 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 4J100AL08P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BC03P , 4J100BC08Q , 4J100BC09R , 4J100BC53P , 4J100CA05 , 4J100DA39 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (13件)

特公平2-27660号公報
新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパタ-ン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-255167 出願人：信越化学工業株式会社
特開昭63-27829号公報

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審査官引用 (2件)

ポジ型レジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-339439 出願人：富士写真フイルム株式会社
エステル化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-330904 出願人：信越化学工業株式会社

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