ITO焼結体の製造法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-133836
公開番号（公開出願番号）：特開2007-254282
出願日： 2007年05月21日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】フラットパネルディスプレイの透明電極等に用いられるITO薄膜のスパッタリングにおいて、膜中欠陥の発生原因となるターゲット表面のノジュールが発生しない高密度ITOスパッタリングターゲットの製造法を提供する。【解決手段】90%以上が1μm以下の粒径を持つ酸化スズ粉末を5〜15wt%含む酸化インジウム・酸化スズ混合粉末の成形体を酸素雰囲気中で焼結することにより、酸化インジウム・酸化スズ(ITO)焼結体を製造する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

90%以上が1μm以下の粒径を持つ酸化スズ粉末を5〜15wt%含む酸化インジウム・酸化スズ混合粉末の成形体を酸素雰囲気中で焼結することを特徴とする酸化インジウム・酸化スズ(ITO)焼結体の製造法。

IPC (3件)：

C04B 35/00 , C23C 14/34 , H01B 13/00

FI (3件)：

C04B35/00 J , C23C14/34 A , H01B13/00 501Z

Fターム (17件)：

4G030AA34 , 4G030AA39 , 4G030BA02 , 4G030BA15 , 4G030GA01 , 4G030GA03 , 4G030GA04 , 4G030GA11 , 4G030GA22 , 4G030GA25 , 4G030GA27 , 4K029BA50 , 4K029BC09 , 4K029CA06 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC34

引用特許：

審査官引用 (10件)

ITOスパツタリングタ-ゲツトの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-336301 出願人：株式会社日鉱共石
透明導電膜形成用インジウム酸化物系焼結体
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-021222 出願人：日立金属株式会社
ITO導電膜用ターゲット材の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-176475 出願人：日立金属株式会社, 株式会社安来精密

全件表示

前のページに戻る