特許
J-GLOBAL ID：200903051358708730

半導体装置及びその製造方法

発明者：
小川 久

小川 久 について

, 
森 義弘

森 義弘 について


出願人/特許権者：
パナソニック株式会社

パナソニック株式会社 について


代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-154532
公開番号（公開出願番号）：特開2009-302260
出願日： 2008年06月12日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：
【課題】高誘電体材料を含むゲート絶縁膜とメタルゲート電極とを有する半導体装置の製造中にポリシリコンからなる残渣が素子分離領域上に生じる虞があり、不良の原因であった。【解決手段】半導体基板10の第1の活性領域10a上には、高誘電体材料と第1の金属とを含有する第1のゲート絶縁膜13aと、下層導電膜15aと第1の導電膜18aと第1のシリコン膜19aとを有する第1のゲート電極30aとを備えた第1導電型の第1のトランジスタが形成されている。半導体基板10の第2の活性領域10b上には、高誘電体材料と第2の金属とを含有する第2のゲート絶縁膜13bと、第1の導電膜18aと同一の材料からなる第2の導電膜18bと第2のシリコン膜19bとを有する第2のゲート電極30bとを備えた第2導電型の第2のトランジスタが形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体領域における第1の活性領域上に設けられた第1導電型の第1のトランジスタと、素子分離領域により前記第1の活性領域とは分離された前記半導体領域における第2の活性領域上に設けられた第2導電型の第2のトランジスタとを備えた半導体装置であって、 前記第1のトランジスタは、 前記第1の活性領域の上に形成され、高誘電体材料と第1の金属とを含有する第1のゲート絶縁膜と、 前記第1のゲート絶縁膜上に形成された下層導電膜と、前記下層導電膜の上に形成された第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に形成された第1のシリコン膜とを有する第1のゲート電極とを備え、 前記第2のトランジスタは、 前記第2の活性領域の上に形成され、前記高誘電体材料と第2の金属とを含有する第2のゲート絶縁膜と、 前記第2のゲート絶縁膜上に形成され且つ前記第1の導電膜と同一の材料からなる第2の導電膜と、前記第2の導電膜上に形成された第2のシリコン膜とを有する第2のゲート電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/78
FI (4件)：
H01L27/08 321D ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/58 G ,  H01L29/78 301G
Fターム (65件)：
4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB34 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD33 ,  4M104DD65 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB13 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA30 ,  5F140AA14 ,  5F140AA39 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD17 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BF05 ,  5F140BF10 ,  5F140BF14 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF22 ,  5F140BF24 ,  5F140BF28 ,  5F140BF37 ,  5F140BF38 ,  5F140BG10 ,  5F140BG30 ,  5F140BH14 ,  5F140BK02 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF04
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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