特許
J-GLOBAL ID：200903051370196329

半導体装置の製造方法

発明者：
谷口 敏雄

谷口 敏雄 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-032712
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245300
出願日： 1994年03月03日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】 0.5 μm以下のコンタクトホールのカバレージに関し,B-W膜のカバレッジを,グルーレイヤの選択,ホール形状,Wの成長条件から改善する。【構成】 コンタクトホールが形成された絶縁膜 2が表面に被着された半導体基板 1上に,チタン膜 3と窒化チタン膜(グルーレイヤ) 4とタングステン膜 8を順に成膜する工程を有し,該窒化チタン膜の成膜温度を400°C以上とする, 該窒化チタン膜の成膜電力を10W/cm2 以上とする, 成膜時の窒素流量比を60%以上とする。また,窒化チタンをRTA でチタンを窒化して形成する。また, グルーレイヤとしてのタングステン膜4Gの成膜温度を400°C以上とする, 成膜時におけるガス圧力を7mTorr以上とする, 成膜電力を2〜4W/cm2 以上とする。
請求項（抜粋）：
コンタクトホールが形成された絶縁膜(2) が表面に被着された半導体基板(1) 上に,チタン膜(3)と窒化チタン膜(4)とタングステン膜(8)を順に成膜する工程を有し,該窒化チタン膜(4)の成膜温度を400°C以上とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3205 ,  C23C 14/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 301
引用特許：
審査官引用 (16件)
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