特許
J-GLOBAL ID:200903051387455786
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
西川 惠清 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-281709
公開番号(公開出願番号):特開2001-102364
出願日: 1999年10月01日
公開日(公表日): 2001年04月13日
要約:
【要約】【課題】 電極間に均一なグロー放電を安定して発生させて、均一で安定したプラズマ処理を行なうことができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 互いに対向して配置される少なくとも一対の電極1,2の間に電界を負荷してグロー放電を発生させると共にこの両電極1,2間にプラズマ生成用ガスを供給することによってプラズマを生成させ、このプラズマを被処理物3に作用させて表面処理を行なうようにしたプラズマ処理装置に関する。対をなす電極1,2の少なくとも一方の外面に融着によりガラス質の被覆層4を設ける。
請求項(抜粋):
互いに対向して配置される少なくとも一対の電極の間に電界を負荷してグロー放電を発生させると共にこの両電極間にプラズマ生成用ガスを供給することによってプラズマを生成させ、このプラズマを被処理物に作用させて表面処理を行なうようにしたプラズマ処理装置において、対をなす電極の少なくとも一方の外面に融着によりガラス質の被覆層を設けて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
H01L 21/3065
, C23C 16/509
, C23F 4/00
, H05H 1/24
FI (4件):
C23C 16/509
, C23F 4/00 A
, H05H 1/24
, H01L 21/302 B
Fターム (26件):
4K030FA04
, 4K030KA14
, 4K030KA47
, 4K057DA01
, 4K057DA11
, 4K057DB06
, 4K057DD01
, 4K057DE06
, 4K057DE08
, 4K057DE14
, 4K057DM06
, 4K057DM09
, 4K057DM18
, 4K057DM39
, 4K057DN01
, 5F004AA14
, 5F004BA20
, 5F004BB11
, 5F004BB32
, 5F004BD01
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA21
, 5F004DA22
, 5F004DA23
, 5F004DA26
引用特許:
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