特許
J-GLOBAL ID：200903051479579694

半導体発光素子の製造方法

発明者：
長谷川 義晃

長谷川 義晃 について

, 
大仲 清司

大仲 清司 について

, 
大塚 信之

大塚 信之 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-296821
公開番号（公開出願番号）：特開2003-101158
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、GaN系紫色レーザの共振器端面をへき開で高歩留りで形成する方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板の主面上に成長した窒化物系III-V族化合物からなる半導体層において、前記基板の裏面をスクライブすることによって、前記半導体層をへき開する工程を特徴とする半導体発光素子の製造方法。
請求項（抜粋）：
基板の主面上に成長した窒化物系III-V族化合物からなる半導体層において、前記基板の裏面をスクライブすることによって、前記半導体層をへき開する工程を特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01S 5/343 610 ,  B28D 5/00
FI (2件)：
H01S 5/343 610 ,  B28D 5/00 A
Fターム (11件)：
3C069AA02 ,  3C069AA03 ,  3C069CA06 ,  3C069EA02 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32
引用特許：
審査官引用 (10件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM