特許
J-GLOBAL ID：200903023835590246

III族或いはIII-V族窒化物層の成長方法

発明者：
ジョナサン ヘファナン

ジョナサン ヘファナン について

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高橋 幸司

高橋 幸司 について

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河西 秀典

河西 秀典 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-359744
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265854
出願日： 1998年12月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：
【要約】【課題】 適切な半導体基板上にIII族或いはIII-V族窒化物層を成長するための改善された方法を提供する。【解決手段】 半導体基板の上へIII族或いはIII-V族窒化物層を成長させる方法が、窒素に対して高い反応性を示す物質を含むIII-V族半導体層をその表面上に有する半導体基板をチャンバ内に配置する工程と、引き続いて、窒素を含有する種を該チャンバ内に導入して該窒素と該物質とを反応させることにより、該III-V族半導体層を窒化する工程と、を包含する。キシャル層の質を向上することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の上へIII族或いはIII-V族窒化物層を成長させる方法であって、窒素に対して高い反応性を示す物質を含むIII-V族半導体層をその表面上に有する半導体基板をチャンバ内に配置する工程と、引き続いて、窒素を含有する種を該チャンバ内に導入して該窒素と該物質とを反応させることにより、該III-V族半導体層を窒化する工程と、を包含する、方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18 673
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (13件)
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