特許
J-GLOBAL ID：200903053342078674

シリサイド膜の形成方法

発明者：
氷沢 和也

氷沢 和也 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (3件)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-335765
公開番号（公開出願番号）：特開2006-074071
出願日： 2005年11月21日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：
【課題】 シリサイド膜を薄くしても細線効果を抑えることが可能なシリサイド膜の形成方法を提供する。【解決手段】 SOI基板全面に対してアルゴンイオンを注入した後,基板を約300°Cに調整し,ロングスロー・スパッタリング法を用いてチタン膜21(膜厚15nm)を形成する。基板を大気に曝すことなく連続的にチタン窒化膜23(膜厚30nm)を形成する。窒素雰囲気中で1回目の熱処理(750°C)を行い,ゲート領域,ソース領域,およびドレイン領域にそれぞれ自己整合的にシリサイド膜31,32,33(膜厚30nm)を形成する。チタン窒化膜と未反応のチタン膜を除去した後,2回目の熱処理(850°C)を行う。高抵抗の結晶構造C49を有するシリサイド膜31,32,33は,低抵抗の結晶構造C54を有するシリサイド膜に相転移する。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
厚さ50nm以下のシリコン領域の表面にシリサイド膜を形成するシリサイド膜の形成方法であって, 前記シリサイド膜は, 前記シリコン領域にイオンを注入して前記シリコン領域の表面をアモルファス化し,前記シリコン領域を第1の温度に調節した後に,前記シリコン領域に対して金属膜(膜厚t1)および前記金属膜を雰囲気から保護するための保護膜(膜厚t2,t2>t1)を連続的に形成し,更に前記金属膜,前記保護膜,および前記シリコン領域に対して前記第1の温度より高い第2の温度で熱処理を施し,前記金属膜に含まれる金属と前記シリコン領域に含まれるシリコンを反応させることによって形成されることを特徴とする,シリサイド膜の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L21/28 301D ,  H01L21/28 301S ,  H01L21/88 Q ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 617L
Fターム (66件)：
4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104DD84 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH20 ,  5F033HH19 ,  5F033HH25 ,  5F033HH27 ,  5F033HH33 ,  5F033MM05 ,  5F033MM07 ,  5F033PP21 ,  5F033PP22 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ73 ,  5F033VV15 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F110AA03 ,  5F110AA04 ,  5F110AA09 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110EE41 ,  5F110EE44 ,  5F110EE47 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG25 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK17 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HK41 ,  5F110HK42 ,  5F110HL02 ,  5F110NN02 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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