特許
J-GLOBAL ID：200903053580937111

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
桑原 秀明

桑原 秀明 について

, 
荒井 康行

荒井 康行 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-064227
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257350
出願日： 2000年03月08日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：
【要約】【課題】 従来の液晶表示装置は、最低でも5枚以上のフォトマスクを使用してTFTを作製していたため製造コストが大きかった。【解決手段】3枚目のフォトマスクにより画素電極127、ソース領域123及びドレイン領域124の形成を行うことにより、3回のフォトリソグラフィー工程で、逆スタガ型のnチャネル型TFTを有する画素TFT部、及び保持容量を備えた液晶表示装置を実現することができる。
請求項（抜粋）：
ゲート配線と、ソース配線と、画素電極とを有する半導体装置であって、絶縁表面上に形成されたゲート配線と、前記ゲート配線上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された非晶質半導体膜と、前記非晶質半導体膜上に形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域または前記ドレイン領域上に形成されたソース配線または電極と、前記電極上に形成された画素電極とを有し、前記ドレイン領域または前記ソース領域の一つの端面は、前記絶縁膜の端面、前記非晶質半導体膜の端面、及び前記電極の端面と概略一致することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338
FI (4件)：
G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 612 D ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 C
Fターム (82件)：
2H092GA50 ,  2H092GA51 ,  2H092JA24 ,  2H092JA26 ,  2H092JA34 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA06 ,  2H092MA15 ,  2H092NA27 ,  2H092PA13 ,  2H092RA05 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA48 ,  5C094BA03 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094DB01 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA05 ,  5C094EA06 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB14 ,  5C094FB15 ,  5C094GB10 ,  5C094HA10 ,  5F110AA16 ,  5F110AA22 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE23 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK22 ,  5F110HK25 ,  5F110HK26 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ09
引用特許：
審査官引用 (12件)
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