特許
J-GLOBAL ID：200903053940766259

半導体装置

発明者：
奥村 陽一

奥村 陽一 について


出願人/特許権者：
日本テキサス・インスツルメンツ株式会社

日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 について


代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-338016
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141419
出願日： 2000年11月06日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：
【要約】【課題】バイポーラトランジスタなどのその他の半導体素子の特性を確保しつつ、フォトダイオードの特性を向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】第1導電型の第1の半導体層11と第2導電型の第2の半導体層13とを積層した構成とし、バイポーラトランジスタ形成領域において第2の半導体層13の主面にバイポーラトランジスタBiTrが構成され、フォトダイオード形成領域において第2の半導体層13の主面に第1導電型の第1の半導体領域16が形成されている。フォトダイオード形成領域における第1の半導体領域16と第2の半導体層13との接合面J1 から延びる第1の空乏層V1 と、第2の半導体層13と第1の半導体層11との接合面J2 から延びる第2の空乏層V2とが接触するように、第1の半導体層11と第2の半導体層13との間および第2の半導体層13と第1の半導体領域16との間に電圧が印加される。
請求項（抜粋）：
フォトダイオードとバイポーラトランジスタとを有する半導体装置であって、第1導電型の第1の半導体層と、上記第1の半導体層上に形成された第2導電型の第2の半導体層と、上記第2の半導体層の主面から上記第1の半導体層に達するように形成されてフォトダイオード形成領域とバイポーラトランジスタ形成領域とをそれぞれ区画するための素子分離領域と、上記フォトダイオード形成領域において上記第2の半導体層の主面に形成された第1導電型の第1の半導体領域と、上記バイポーラトランジスタ形成領域において上記第2の半導体層の主面に形成されたバイポーラトランジスタと、を有し、上記フォトダイオード形成領域において、上記第1の半導体層と上記第2の半導体層との界面から延びる空乏層と上記第2の半導体層と上記第1の半導体領域との界面から延びる空乏層とが上記第2の半導体層において接触するように上記第1の半導体層、上記第2の半導体層および上記第1の半導体領域にそれぞれ電圧が印加される半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8249 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10
FI (6件)：
H01L 27/06 101 D ,  H01L 27/06 321 A ,  H01L 27/06 321 E ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 31/10 G ,  H01L 31/10 A
Fターム (30件)：
4M118AA10 ,  4M118AB02 ,  4M118AB10 ,  4M118BA06 ,  4M118CA05 ,  5F048AC05 ,  5F048AC07 ,  5F048AC10 ,  5F048BA05 ,  5F048BA06 ,  5F048BA12 ,  5F048BG14 ,  5F048CA03 ,  5F048CA04 ,  5F049MA04 ,  5F049MB02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA20 ,  5F049NB08 ,  5F049QA03 ,  5F049RA06 ,  5F049UA20 ,  5F082AA06 ,  5F082AA11 ,  5F082AA40 ,  5F082BA02 ,  5F082BA50 ,  5F082BC09 ,  5F082BC11 ,  5F082GA03
引用特許：
審査官引用 (15件)
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