特許
J-GLOBAL ID：200903054358922501

半導体レーザおよびそれを用いた半導体レーザジャイロ

発明者：
清水 均

清水 均 について

, 
斎藤 信雄

斎藤 信雄 について

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原山 卓久

原山 卓久 について


出願人/特許権者：
株式会社国際電気通信基礎技術研究所

株式会社国際電気通信基礎技術研究所 について


代理人 (2件)： 鎌田 耕一 ,  黒田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-230867
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108641
出願日： 2005年08月09日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】 半導体レーザジャイロに適した新規な構造の半導体レーザ、およびその半導体レーザを用いることによって、半導体レーザを用いた従来のジャイロよりも精度よく簡単に回転を検出できる半導体レーザジャイロを提供する。 【解決手段】 第1および第2のレーザ光を出射可能な半導体レーザであって、活性層24と活性層24にキャリアを注入するための第1および第2の電極とを備える。第1のレーザ光35は、活性層24内において多角形の経路上を周回するレーザ光(L1)の一部が出射されたレーザ光であり、第2のレーザ光36は、上記経路上をレーザ光(L1)とは逆の方向に周回するレーザ光(L2)の一部が出射されたレーザ光である。活性層24は、少なくとも1層の半導体層(A)を含み、半導体層(A)は、第1の半導体からなる複数の量子ドットと、第1の半導体とは異なる第2の半導体からなり量子ドットを覆うように形成されたカバー層とを含む。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
第1および第2のレーザ光を出射可能な半導体レーザであって、 基板と、前記基板上に形成された活性層と、前記活性層にキャリアを注入するための第1および第2の電極とを備え、 前記第1のレーザ光は、前記活性層内において多角形の経路上を周回するレーザ光(L1)の一部が出射されたレーザ光であり、 前記第2のレーザ光は、前記経路上を前記レーザ光(L1)とは逆の方向に周回するレーザ光(L2)の一部が出射されたレーザ光であり、 前記活性層は、少なくとも1層の半導体層(A)を含み、前記半導体層(A)は、第1の半導体からなる複数の量子ドットと、前記第1の半導体とは異なる第2の半導体からなり前記量子ドットを覆うように形成されたカバー層とを含む半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 5/10 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/343
FI (3件)：
H01S5/10 ,  H01S5/026 612 ,  H01S5/343
Fターム (8件)：
5F173AA16 ,  5F173AB49 ,  5F173AD11 ,  5F173AD19 ,  5F173AF09 ,  5F173AH03 ,  5F173AQ16 ,  5F173MA10
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • リングレーザジャイロ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-164666   出願人：日本航空電子工業株式会社
  • 光ジャイロ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-033277   出願人：キヤノン株式会社
  • 特開平4-174317号公報
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審査官引用 (8件)
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引用文献：
審査官引用 (2件)

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