特許
J-GLOBAL ID：200903054810763297
シリコン・オン・インシュレータ構造およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-035433
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243944
出願日： 2000年02月14日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 平面シリコン・オン・インシュレータ(SOI)の構造およびその構造の製造方法を提供する。【解決手段】 SOI構造は、シリコン・ウェハ10、酸化物層12、およびシリコン層14を有する。構造の上面からシリコン・ウェハまで延びるトレンチを形成し、そのトレンチを半導体34で充填する。トレンチは、上部、底面、および側壁を有する。側壁は、側壁シリコン部分を有する。トレンチ側壁の側壁シリコン部分を、トレンチ側壁酸化物層30で覆う。保護側壁32が、トレンチ側壁とトレンチ側壁酸化物層上に、トレンチ上部からトレンチ底面まで延びる。
請求項（抜粋）：
シリコン・ウェハ、酸化物層、シリコン層、および窒化物層を含む基板上に平面状シリコン・オン・インシュレータ(SOI)構造を製造する方法であって、(a)前記基板内に、上面から前記シリコン・ウェハまで延び、側壁シリコン部分を含む側壁と底面とを有するトレンチを形成する段階と、(b)前記トレンチ底面および前記側壁シリコン部分上に酸化物層を形成して、トレンチ底面酸化物層とトレンチ側壁酸化物層を形成する段階と、(c)前記トレンチ側壁に、前記トレンチ側壁酸化物層上に延び前記トレンチ底面酸化物層の一部分と重なる保護側壁を形成する段階と、(d)前記保護側壁の下にない前記トレンチ底面酸化物層をすべて除去する段階と、(e)前記トレンチに半導体を少なくとも前記上面まで充填する段階とを含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 L
, H01L 21/205
