特許

J-GLOBAL ID：200903056277490774

半導体装置およびその製造方法

発明者： 岩本 邦彦 ,  小川 有人 ,  上牟田 雄一
出願人/特許権者： ローム株式会社 ,  株式会社日立国際電気 ,  株式会社東芝
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-152871
公開番号（公開出願番号）：特開2008-306051
出願日： 2007年06月08日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

【課題】対称フラットバンド電圧、同一ゲート電極材料かつ高誘電率誘電体層を有するCMISFETを提供する。【解決手段】nMISFETは、半導体基板10の表面上に配置された第1ゲート絶縁膜16と、第1ゲート絶縁膜16上に配置されたM1xM2yO(M1=Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,YbまたはLu,M2=Hf,Zr,Ta,x/(x+y)>0.12)で表される組成比を有する第1金属酸化物層20と、第2金属酸化物層24と、第2金属酸化物層24上に配置された第1導電層28とを備え、pMISFETは、半導体基板10表面上に配置された第2ゲート絶縁膜18と、第2ゲート絶縁膜18上に配置されたM3zM4wO(M3=Al,M4=Hf,Zr,Ta,z/(z+w)>0.14)で表される組成比を有する第3金属酸化物層22と、第4金属酸化物層26と、第4金属酸化物層26上に配置された第2導電層30とを備える半導体装置およびその製法。【選択図】図16

請求項（抜粋）：

nチャネル型第1MISFETとpチャネル型第2MISFETからなる相補型の半導体装置において、 前記nチャネル型第1MISFETは、 半導体基板表面上に配置された第1ゲート絶縁膜と、 前記第1ゲート絶縁膜上に配置され、M1xM2yO(M1=Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,YbまたはLu,M2=Hf,Zr,Ta,x/(x+y)>0.12)で表される組成比を有する第1金属酸化物層と、 前記第1金属酸化物層上に配置される第2金属酸化物層と、 前記第2金属酸化物層上に配置された第1導電層と を備え、 前記pチャネル型第2MISFETは、 前記半導体基板表面上に配置された第2ゲート絶縁膜と、 前記第2ゲート絶縁膜上に配置され、M3zM4wO(M3=Al,M4=Hf,Zr,Ta,z/(z+w)>0.14)で表される組成比を有する第3金属酸化物層と、 前記第3金属酸化物層上に配置される第4金属酸化物層と、 前記第4金属酸化物層上に配置された第2導電層と を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L27/08 321D ,  H01L29/58 G ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/283 C ,  H01L29/78 301G

Fターム (86件)：

4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB32 ,  4M104BB34 ,  4M104BB35 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104BB40 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD43 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA09 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA14 ,  5F048BA15 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB10 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BG12 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F140AA04 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140BD02 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE11 ,  5F140BE16 ,  5F140BE19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF17 ,  5F140BF18 ,  5F140BF20 ,  5F140BG04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG30 ,  5F140BG37 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BK13 ,  5F140BK20 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC01 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CC15 ,  5F140CE07

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-263984   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-259589   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-090591   出願人：株式会社ルネサステクノロジ

審査官引用 (5件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-082174   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-198842   出願人：日本電気株式会社
• 異種のゲート絶縁膜を有する半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-329176   出願人：三星電子株式会社
• CMOS半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-036575   出願人：株式会社東芝
• 高誘電率のゲート絶縁膜を有する半導体装置及びそれの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-139162   出願人：三星電子株式会社