特許
J-GLOBAL ID：200903056443372360
半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-027626
公開番号（公開出願番号）：特開2009-188240
出願日： 2008年02月07日
公開日（公表日）： 2009年08月20日
要約：
【課題】側面凹凸の表面上に、さらに微細な表面凹凸を同時に形成させることにより、発光した光の外部への取り出し効率をさらに向上させた半導体発光素子を、より少ない工程数にて形成する製造方法、および上述の方法にて形成した半導体発光素子を提供することである。【解決手段】ナノインプリントリソグラフィー法を用いて、モールドに形成された凹凸パターンを、半導体の積層構造上に塗布したレジスト膜に転写する工程を行なう。モールドに、側面凹凸400および、その表面上にさらに微細な表面凹凸B200を形成しうるパターンを形成しておくことにより、半導体の積層構造上に側面凹凸400および、その表面上にさらに微細な表面凹凸B200を形成することができる。【選択図】図39
請求項（抜粋）：
基板の主表面上に活性層を含む半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の側面の少なくとも一部に、エッチングにより、側面凹凸形状部と、前記側面凹凸形状部の表面に配置された微細凹凸部とを、同時に形成する工程とを備える、半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F041AA03
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA88
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (10件)
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