半導体デバイスの結晶質改善方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中川邦雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-255418
公開番号（公開出願番号）：特開2007-073545
出願日： 2005年09月02日
公開日（公表日）： 2007年03月22日
要約：

【課題】本発明は、半導体デバイス製造時において接合領域又は表面領域に発生するシリコン結晶質の欠陥又は重金属等による汚染などの結晶の乱れを回復することができる半導体デバイスの結晶質改善方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明は、半導体デバイスの接合領域、若しくは半導体デバイスの接合領域及び前記接合領域の近傍に対し、又は半導体デバイスの表面領域、又は半導体デバイスの表面領域及び前記表面領域の近傍に対し、真空減圧下においてシアンイオンをイオン注入する工程と、前記イオン注入した半導体デバイスを高温下で熱処理する工程とからなり、結晶質の欠陥又は汚染を回復することができることを特徴とする半導体デバイスの結晶質改善方法の構成とした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの接合領域、又は半導体デバイスの接合領域及び前記接合領域の近傍に対し、真空減圧下においてシアンイオンをイオン注入する工程と、前記イオン注入した半導体デバイスを高温下で熱処理する工程とからなることを特徴とする半導体デバイスの結晶質改善方法。

IPC (5件)：

H01L 21/322 , H01L 27/146 , H01L 27/148 , H01L 31/04 , H01L 21/265

FI (8件)：

H01L21/322 J , H01L21/322 G , H01L27/14 A , H01L27/14 B , H01L31/04 L , H01L21/265 Q , H01L21/265 602A , H01L21/265 602C

Fターム (14件)：

4M118AA05 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA10 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118EA01 , 4M118EA05 , 5F051AA03 , 5F051CB19 , 5F051CB24 , 5F051DA08 , 5F051FA03 , 5F051FA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体ウエハの欠陥低減法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-145899 出願人：ヤマハ株式会社

審査官引用 (7件)

光電変換装置、固体撮像装置およびこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-019827 出願人：ソニー株式会社
エピタキシャルシリコン基板及び固体撮像装置並びにこれらの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-064781 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及びその製造方法、並びに処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-271590 出願人：独立行政法人科学技術振興機構

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